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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
41
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
11.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
3132
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
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Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB Comparações de RAM
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
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