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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Comparar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
55
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
55
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
2665
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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