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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
23
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
17.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
4014
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
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