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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
37
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
16.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3700
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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