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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
41
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
3037
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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