RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
50
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
50
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
10.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
2512
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link