RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3191
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link