RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
53
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
14
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
53
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3020
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link