RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3544
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link