RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2807
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link