RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
39
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
31
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2918
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link