RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
56
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
13.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3136
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link