Comparação RAM Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Pontuação geral

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

52 56

Por volta de 7% menor latência

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.1 9.7

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.5 7.2

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 14900

Por volta de 1.29 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2173 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns