RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
22.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
16.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3697
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link