RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3223
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link