RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2938
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link