Comparação RAM Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

31 49

Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.5 10.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.5 8.7

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 17000

Por volta de 1.51 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2427 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns