RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
51
Por volta de -155% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
20
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3429
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link