RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
26
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2880
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link