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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
54
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
42
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2701
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
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Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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