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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
49
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3336
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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