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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
49
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.8
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
49
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2302
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
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