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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
42
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3367
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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