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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3519
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2606U1S 4GB
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