RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
42
Por volta de -2% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
41
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2044
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link