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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
54
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
54
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2259
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
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