RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3562
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link