RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
104
Por volta de -352% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
19.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
4322
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link