RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
104
Por volta de -259% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
15.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3557
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link