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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
74
Por volta de -118% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
14.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3606
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
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