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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
74
Por volta de -174% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2756
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
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