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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
73
Por volta de -217% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
13.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3116
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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