RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
73
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
13.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2971
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link