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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
73
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.1
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
9.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
7.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2090
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
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