RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de -41% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2426
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link