RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
49
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
49
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2534
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5403-003.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-067.A00LF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link