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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
44
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.6
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
17.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2069
4100
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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