RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
45
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3632
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link