Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 47
    Por volta de -62% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.6 left arrow 9.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.9 left arrow 5.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 10600
    Por volta de 1.6 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    47 left arrow 29
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.3 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.9 left arrow 9.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1413 left arrow 2419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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