RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
81
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
81
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
1668
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link