Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Pontuação geral
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    40 left arrow 42
    Por volta de 5% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.3 left arrow 9.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.9 left arrow 6.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21% maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    40 left arrow 42
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.3 left arrow 9.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.9 left arrow 6.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1789 left arrow 1396
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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