RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.3
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
18.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3731
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link