Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs AMD R534G1601U1S 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Pontuação geral
star star star star star
AMD R534G1601U1S 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    43 left arrow 68
    Por volta de 37% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11 left arrow 6.5
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.2 left arrow 4.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    43 left arrow 68
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.0 left arrow 6.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.2 left arrow 4.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1393 left arrow 1209
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações