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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1763
2489
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
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