RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
6.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
6.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
1775
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link