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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston KTP9W1-MID 16GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
32
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
12.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
32
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.7
14.4
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
3424
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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