RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Comparar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
45
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
10.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
45
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
11.7
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
3233
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X2G64CB88G7N-DG 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link