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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
37
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
17000
Por volta de 1.38 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
12.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
23400
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
2709
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Lenovo 16GB
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