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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
50
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
50
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.2
10.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2902
2512
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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