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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
41
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
1989
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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